參數(shù)資料
型號(hào)： KSP43
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： High Voltage Transistor
中文描述： 500 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 36K
代理商： KSP43
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, September 2002
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
* Pulse Test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CBO
Collector Base Voltage
: KSP42
: KSP43
300
200
V
V
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
: KSP42
: KSP43
300
200
6
500
625
150
V
V
V
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
mA
mW
°
C
°
C
-55 ~ 150
Symbol
BV
CBO
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Units
Collector-Base Breakdown Voltage
: KSP42
: KSP43
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
300
200
V
V
BV
CEO
* Collector -Emitter Breakdown Voltage
: KSP42
: KSP43
I
C
=1mA, I
B
=0
300
200
6
V
V
V
BV
EBO
I
CBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
I
E
=100
μ
A, I
C
=0
: KSP42
: KSP43
V
CB
=200V, I
E
=0
V
CB
=160V, I
E
=0
100
100
nA
nA
I
EBO
Emitter Cut-off Current
: KSP42
: KSP43
V
BE
=6V, I
C
=0
V
BE
=4V, I
C
=0
V
CE
=10V, I
C
=1mA
V
CE
=10V, I
C
=10mA
V
CE
=10V, I
C
=30mA
I
C
=20mA, I
B
=2mA
I
C
=20mA, I
B
=2mA
V
CB
=20V, I
E
=0
f=1MHz
100
100
nA
nA
h
FE
* DC Current Gain
25
40
40
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
C
ob
* Collector-Emitter Saturation Voltage
* Base-Emitter Saturation Voltage
Output Capacitance
0.5
0.9
V
V
: KSP42
: KSP43
3
4
pF
pF
MHz
f
T
Current Gain Bandwidth Product
V
CE
=20V, I
C
=10mA
f=100MHz
50
KSP42/43
High Voltage Transistor
Collector-Emitter Voltage: V
CEO
=KSP42: 300V
KSP43: 200V
Collector Power Dissipation: P
C
(max)=625mW
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSP44 High Voltage Transistor
KSP45 CAP/CER .01UF 50V 10% RAD .100
KSP5179 CAP .01UF 50V X7R 10% .200LS .022LD
KSP55 CAP .010UF 50V CERAMIC X7R 10%
KSP56 PNP Epitaxial Silicon Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KSP43BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSP43TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSP43TA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSP44 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-92 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR, NPN, TO-92 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR, NPN, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:300mA; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
KSP44_12 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
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