參數(shù)資料
型號： KSD1020
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Audio Frequency Amplifier
中文描述： 700 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TO-92S, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 39K
代理商： KSD1020
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B2, April 2004
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
* Collector Current (Pulse)
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
* PW
≤
10ms, Duty Cycle
≤
50%
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
C
ob
Output Capacitance
f
T
Current Gain Bandwidth Product
* Pulse Test: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
h
FE1
Classification
Classification
Parameter
Ratings
30
25
5.0
700
1.0
350
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
A
mW
°
C
°
C
Test Condition
V
CB
=30V, I
E
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
V
CE
=1V, I
C
=100mA
V
CE
=1V, I
C
=700mA
V
CE
=6V, I
C
=10mA
I
C
=700mA, I
B
=70mA
I
C
=700mA, I
B
=70mA
V
CB
=6V, I
E
=0, f=1MHz
V
CE
=6V, I
C
=10mA
Min.
Typ.
Max.
100
100
400
Units
nA
nA
* DC Current Gain
120
35
600
200
140
640
0.2
0.95
13
170
700
0.4
1.2
25
mV
V
V
pF
MHz
50
Y
G
h
FE1
120 ~ 240
200 ~ 400
KSD1020
Audio Frequency Amplifier
Complement to KSB810
1.Emitter 2. Collector 3. Base
TO-92S
1
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KSD1020GTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1020GTA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1020OBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1020OTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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