參數(shù)資料
型號(hào)： KSC1008RJ05Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 700 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 158K
代理商： KSC1008RJ05Z
KSC1008
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
LOW FREQUENCY AMPLIFIER
MEDIUM SPEED SWITCHING
Complement to KSA708
High Collector-Base Voltage: V
CBO
=80V
Collector Current: I
C
=700mA
Collector Dissipation: P
C
=800mW
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
=25
°
C)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
°
C)
h
FE
CLASSIFICATION
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
80
60
8
700
800
150
-55 ~ 150
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Characteristic
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Current Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
C
OB
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
V
CB
=60V, I
E
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
V
CE
=2V, I
=50mA
I
C
=500mA, I
B
=50mA
I
C
=500mA, I
=50mA
V
CE
=10V, I
C
=50mA
V
=10V, I
E
=0
f=1MHz
80
60
8
40
30
0.2
0.86
50
8
0.1
0.1
400
0.4
1.1
V
V
V
μ
A
μ
A
V
V
MHz
pF
Classification
R
O
Y
G
h
FE
40-80
70-140
120-240
200-400
TO-92
1. Emitter 2. Base 3. Collector
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KSC1008OJ18Z 700 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
KSC1008OJ05Z 700 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
KSC1008J05Z 700 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
KSC1008YD74Z 700 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
KSC1008YD26Z 700 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KSC1008RTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC1008Y 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Amplifier Medium Speed Switching
KSC1008YBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC1008YTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC1008YTA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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