參數(shù)資料
型號(hào)： KSB601Y
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
中文描述： 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 48K
代理商： KSB601Y
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[2.54
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0.20
]
2.54TYP
[2.54
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]
TO-220
Package Demensions
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
Dimensions in Millimeters
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PDF描述
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參數(shù)描述
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KSB601YTU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSB601YTU_Q 功能描述:達(dá)林頓晶體管 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSB707 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Power Amplifier
KSB707OTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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