參數(shù)資料
型號(hào)： KSB1116S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Audio Frequency Power Amplifier Medium Speed Switching
中文描述： 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 52K
代理商： KSB1116S
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, April 2003
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
* Collector Current (Pulse)
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
* PW
≤
10ms, Duty Cycle
≤
50%
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
BE
(on)
* Base-Emitter On Voltage
V
CE
(sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
* Base-Emitter Saturation Voltage
C
ob
Output Capacitance
f
T
Current Gain Bandwidth Product
t
ON
Turn On Time
t
STG
Storage Time
t
F
Fall Time
* Pulse Test: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Ratings
-60
-50
-6
-1
-2
0.75
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Test Condition
V
CB
= -60V, I
E
=0
V
EB
= -6V, I
C
= 0
V
CE
= -2V, I
C
= -100mA
V
CE
= -2V, I
C
= -1A
V
CE
= -2V, I
C
= -50mA
I
C
= -1A, I
B
= -50mA
I
C
= -1A, I
B
= -50mA
V
CB
= -10V, I
E
=0, f=1MHz
V
CE
= -2V, I
C
= -100mA
V
CC
= -10V, I
C
= -100mA
I
B1
= -I
B2
= -10mA
V
BE
(off)= 2~3V
Min.
Typ.
Max.
-100
-100
600
Units
nA
nA
* DC Current Gain
135
81
-600
-650
-0.2
-0.9
25
120
0.07
0.7
0.07
-700
-0.3
-1.2
mV
V
V
pF
MHz
μ
s
μ
s
μ
s
70
Y
G
L
h
FE1
135 ~ 270
200 ~ 400
300 ~ 600
KSB1116S
Audio Frequency Power Amplifier & Medium
Speed Switching
TO-92
1. Emitter 2. Base 3. Collector
1
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PDF描述
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KSB1116SYTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB1116YBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB1116YTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSB1121 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:High Current Driver Applications
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