參數(shù)資料
型號(hào)： KSA708
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitor Type:General Purpose; Capacitance:68pF; Capacitance Tolerance:+/- 5%; Voltage Rating:50VDC; Capacitor Dielectric Material:Multilayer Ceramic; Package/Case:0402; Termination:SMD RoHS Compliant: Yes
中文描述： 700 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 39K
代理商： KSA708
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, August 2001
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
* DC Current Gain
V
CE
(sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
* Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
* Pulse Test: PW
≤
350
μ
s, Duty cycle
≤
2%
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Ratings
-80
-60
-8
-700
800
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -100
μ
A, I
E
=0
I
C
= -10mA, I
B
=0
I
E
= -100
μ
A, I
C
=0
V
CB
= -60V, I
E
=0
V
EB
= -5V, I
C
=0
V
CE
= -2V, I
C
= -50mA
I
C
= -500mA, I
B
= -50mA
I
C
= -500mA, I
B
= -50mA
V
CE
= -10V, I
C
= -50mA
V
CB
= -10V, I
E
=0, f=1MHz
Min.
-80
-60
-8
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
μ
A
-0.1
-0.1
240
-0.7
1.1
40
-0.3
-0.9
50
13
V
V
MHz
pF
R
O
Y
h
FE
40 ~ 80
70 ~ 140
120 ~ 240
KSA708
Low Frequency Amplifier & Medium Speed
Switching
Complement to KSC1008
Collector-Base Voltage : V
CBO
= -80V
Collector Power Dissipation : P
C
=800mW
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
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PDF描述
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參數(shù)描述
KSA708CYBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSA708CYTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSA708CYTA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSA708OBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSA708OTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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