參數(shù)資料
型號： KSA1370
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Crt Display, Video Output
中文描述： 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TO-92L, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： KSA1370
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. C, December 2002
K
PNP Epitaxial Silicon Trnsistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
Collector Current (Pulse)
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
C
re
Reverse Transfer Capacitance
Parameter
Ratings
-200
-200
-5
-100
-200
1.0
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mA
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -10
μ
A, I
E
=0
I
C
= -1mA, I
B
=0
I
E
= -10
μ
A, I
C
=0
V
CB
= -150V, I
E
=0
V
EB
= -4V, I
C
=0
V
CE
= -10V, I
C
= -10mA
I
C
= -20mA, I
B
= -2mA
I
C
= -20mA, I
B
= -2mA
V
CE
= -30V, I
C
= -10mA
V
CB
= -30V, f=1MHz
V
CB
= -30V, f=1MHz
Min.
-200
-200
-5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
μ
A
-0.1
-0.1
320
-0.6
-1.0
100
V
V
150
2.6
1.7
MHz
pF
pF
KSA1370
Crt Display, Video Output
High Voltage
Low Reverse Transfer Capacitance : C
re
= 1.7pF
TO-92L
1
1. Emitter 2. Collector 3. Base
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KSA1370ETA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/200V/0.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSA1370FBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSA1370FTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/200V/0.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSA1378 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Power Amplifier
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