型號: | KS32C6100 |
廠商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
英文描述: | 16/32-Bit RISC Microcontroller(16/32-位 RISC微控制器) |
中文描述: | 16/32位RISC微控制器(16/32位的RISC微控制器) |
文件頁數(shù): | 1/5頁 |
文件大?。?/td> | 32K |
代理商: | KS32C6100 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
KS32C6200 | 16/32-Bit RISC Microcontroller(16/32-位 RISC微控制器) |
KS4392 | MOSFIELD EFFECT TRANSISTORS MOS FELDEFFECT - TRANSISTOREN |
KS4391 | MOSFIELD EFFECT TRANSISTORS MOS FELDEFFECT - TRANSISTOREN |
KS4393 | MOSFIELD EFFECT TRANSISTORS MOS FELDEFFECT - TRANSISTOREN |
KS51850 | 4-Bit Single-Chip CMOS Microcontroller(4位微控制器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
KS3302BU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
KS3302TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
KS33J4 | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:40 W Transient Voltage Suppressor Diode |
KS33K5 | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:40 W Transient Voltage Suppressor Diode |
KS34A | 制造商:Baumer Electric Ag 功能描述: |