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參數(shù)資料
| 型號： | KOM2100B |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 光敏二極管 |
| 英文描述： | 6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip Silicon PIN Photodiode Array |
| 中文描述： | PHOTO DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 238K |
| 代理商： | KOM2100B |
Semiconductor Group
469
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray
6-Chip Silicon PIN Photodiode Array
Wesentliche Merkmale
G
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm (KOM
2100 B) und bei 880 nm (KOM 2100 BF)
G
Kurze Schaltzeit (typ. 13 ns)
G
Kathode = Chipunterseite
G
Geeignet für Diodenbetrieb (mit
Vorspannung) und Elementbetrieb
G
SMT-fhig
Anwendungen
G
Universell, z.B. Drehwinkelgeber
Features
G
Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (KOM 2100 B) and of
880 nm (KOM 2100 BF)
G
Short switching time (typ. 13 ns)
G
Cathode = back contact
G
Available as photodiode with reverse
voltage or photovoltaic cell
G
Suitable for SMT
Applications
G
General-purpose, e.g. encoders
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Typ
Type
KOM 2100 B
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-K35
Gehuse
Package
Platine mit SMT-Flanken, Abdeckrahmen mit
klarem bzw. schwarzem Epoxyvergu
pcb with SMT flanks, cover frame sealed with
transparent or black epoxy
KOM 2100 BF
Q62702-K34
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
f
f
10.95
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KOM2100BF | 6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip Silicon PIN Photodiode Array |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| KOM2125-Z | 制造商:OSRAM 功能描述: |
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