參數(shù)資料
型號(hào)： KMM5362203C2WG
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh, 5V
中文描述： 200萬× 36的DRAM使用1Mx16上海藥物研究所和中國(guó)科學(xué)院1Mx4四，每1000刷新，5V的
文件頁(yè)數(shù)： 1/17頁(yè)
文件大?。?/td> 284K
代理商： KMM5362203C2WG
DRAM MODULE
KMM5362203C2W/C2WG
Rev. 0.0 (Nov. 1997)
- 1 -
2Mx36 DRAM SIMM
(1MX16 Base)
Revision 0.0
November 1997
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KMM5362205C2W 2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
KMM5362205C2WG 2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
KMM5364005BSW 4M x 36 DRAM SIMM(4M x 36 動(dòng)態(tài) RAM模塊)
KMM5364103CKG 4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K Refresh, 5V
KMM5364003CKG 4M x 36 DRAM SIMM using 4Mx4 and 16M Quad CAS, 4K/2K Refresh, 5V
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參數(shù)描述
KMM5362205C2W 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
KMM5362205C2WG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
KMM53632000BK 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
KMM53632000BKG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
KMM53632000CK 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V
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