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參數(shù)資料
| 型號： | KMM53232000BV |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 32M x 32 DRAM SIMM(32M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 32M的內(nèi)存上海藥物研究所× 32（32兆× 32動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 1/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 357K |
| 代理商： | KMM53232000BV |
DRAM MODULE
KMM53232000BV/BVG
Revision History
Version 0.0 (Sept. 1997)
Removed two AC parameters t
CACP
(access time from CAS) and t
AAP
(access time from col. addr.) in
AC CHARACTERISTICS
.
Version 0.1 (May 1998)
The 3rd. generation of 64M DRAM components are applied for this module.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM5324000BSWG | 4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5324000CK | 4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5324000CKG | 4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V |
| KMM5324004BSWG | 4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
| KMM5324004CSWG | 4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM53232000CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53232000CKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53232004BK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53232004BKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53232004CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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