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參數(shù)資料
| 型號： | KMM53216004BK |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M x 32 DRAM SIMM(16M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 1,600 × 32的DRAM上海藥物研究所（1,600 × 32動態(tài)內存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 1/20頁 |
| 文件大小： | 386K |
| 代理商： | KMM53216004BK |
DRAM MODULE
KMM53216004BK/BKG
Revision History
Version 0.0 (Sept. 1997)
Removed two AC parameters t
CACP
(access time from CAS) and t
AAP
(access time from col. addr.) in
AC CHARACTERISTICS
.
Version 0.1 (June 1998)
The 3rd. generation of 64M DRAM components are applied for this module.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM53216004BV | 16M x 32 DRAM SIMM(16M x 32 動態(tài) RAM模塊) |
| KMM53216004CK | 16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216004BKG | 16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216004CKG | 16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM5322104CKU | 2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KMM53216004BKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216004CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM53216004CKG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
| KMM5322104CKU | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V |
| KMM5322104CKUG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 DRAM SIMM using 2Mx8 , 2K Refresh, 5V |
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