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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM6264BLG-12L |
| 廠(chǎng)商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| 中文描述： | 8Kx8位低功耗CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/10頁(yè) |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | KM6264BLG-12L |
KM6264B Family
ELECTRONICS
CMOS SRAM
Revision. 0.0
Auust. 1996
8
Address
/WE
Data in
/CS
t
WC
t
WP(1)
t
WHZ
t
WR1(4)
t
DH
t
AS
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1)
(/WE Controlled)
t
CW(2)
t
OW
Data out
t
AW
t
DW
Data Vailid
Data Undefined
t
CW(2)
CS2
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2)
(/CS1 Controlled)
t
WC
t
CW(2)
t
WR1(4)
t
AW
t
WP(1)
Address
/CS1
/WE
Data in
Data out
t
DW
Data Vailid
t
AS
High - Z
High - Z
DH
t
t
CO2
CS2
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