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參數(shù)資料
| 型號： | KM6264BLG-12 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| 中文描述： | 8Kx8位低功耗CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 152K |
| 代理商： | KM6264BLG-12 |
KM6264B Family
ELECTRONICS
CMOS SRAM
Revision. 0.0
Auust. 1996
6
KM6264BL
KM6264BL-L
KM6264BLE
KM6264BLE-L
KM6264BLI
KM6264BLI-L
Vcc for data retention
Data retention current
Data retention set-up time
Recovery time
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
Vdr
Idr
tSDR
tRDR
/CS***
Vcc-0.2V
Vcc=3.0V
/CS
Vcc-0.2V
See data retention
waveform
Typ**
-
1
0.5
-
-
-
-
-
-
Unit
V
uA
ms
L-Ver
LL-Ver
L-Ver
LL-Ver
L-Ver
LL-Ver
Min
2.0
-
-
-
-
-
-
0
5
Max
5.5
50
5
50
25
50
25
-
-
* 1) Commercial Product : Ta=0 to 70 ° C, unless otherwise specified
2) Extended Product : Ta=-25 to 85 ° C, unless otherwise specified
3) Industrial Product : Ta=-40 to 85 ° C, unless otherwise specified
** Ta=25 ° C
*** /CS1
Vcc-0.2, CS2
Vcc-0.2(/CS1 Controlled) or CS2
0.2(CS2 Controlled)
Item
Symbol
Test Condition*
DATA RETENTION TIMING DIAGRAM
Vcc
4.5V
2.2V
/CS1
GND
/CS1
Vcc-0.2V
Vdr
tSDR
tRDR
Data retention mode
1) /CS1 controlled
Vcc
4.5V
CS2
0.4V
GND
CS2
0.2V
Vdr
tSDR
tRDR
Data retention mode
2) CS2 controlled
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM6264BLG-12L | 8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM6264BLG-7 | 8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM6264BLG-7L | 8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM6264BLP-7 | 8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM6264BLP-7L | 8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM6264BLG-12L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM6264BLG-7 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KM6264BLG-7L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM6264BLGE-10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KM6264BLGE-10L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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