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參數(shù)資料
| 型號： | KM44V16104B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(16M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出)) |
| 中文描述： | 16米x 4位的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出的CMOS動態(tài)RAM（1,600 × 4位的CMOS動態(tài)隨機(jī)存儲器（帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出）） |
| 文件頁數(shù)： | 18/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 367K |
| 代理商： | KM44V16104B |
KM44V16004B,
KM44V16104B
CMOS DRAM
HIDDEN REFRESH CYCLE ( READ )
t
OEZ
DATA-OUT
t
RP
RAS
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IH
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V
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* In Hidden refresh cycle of 64Mb A-dile & B-die, when CAS signal transits from Low to High, the valid data may be cut off.
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RAL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| KM44V16104C | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(16M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出)) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| KM44V4100C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
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