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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM23V64005AG |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 64M-Bit (8Mx8 /4Mx16) CMOS Mask ROM(64M位 (8Mx8 /4Mx16) CMOS掩膜ROM) |
| 中文描述： | 6400位（8Mx8 / 4Mx16）的CMOS掩模ROM（6400位（8Mx8 / 4Mx16）的CMOS掩膜光盤） |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | KM23V64005AG |
KM23V64005AG
CMOS MASK ROM
Preliminary
TEST CONDITIONS
Item
Value
Input Pulse Levels
0.45V to 2.4V
Input Rise and Fall Times
10ns
Input and Output timing Levels
1.5V
Output Loads
1 TTL Gate and C
L
=100pF
AC CHARACTERISTICS
(T
A
=0
°
C to +70
°
C, V
CC
=3.3V/3.0V
±
0.3V, unless otherwise noted.)
READ CYCLE
NOTE
: Page Address is determined as below.
Word mode (BHE=V
IH
) : A
0
, A
1,
A
2
Byte mode (BHE=V
IL
) : A
-1
, A
0
, A
1,
A
2
Item
Symbol
V
CC
=3.3V
±
0.3V
V
CC
=3.0V
±
0.3V
Unit
Min
Max
Min
Max
Read Cycle Time
t
RC
100
120
ns
Chip Enable Access Time
t
ACE
100
120
ns
Address Access Time
t
AA
100
120
ns
Page Address Access Time
t
PA
30
40
ns
Output Enable Access Time
t
OE
30
40
ns
Output or Chip Disable to
Output High-Z
t
DF
20
20
ns
Output Hold from Address Change
t
OH
0
0
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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