- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373128 > KFH1G16U2M-DID6 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) FLASH MEMORY(54MHz) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFH1G16U2M-DID6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/125頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFH1G16U2M-DID6 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)當(dāng)前第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
5
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
Samsung offers a variety of Flash solutions including NAND Flash, OneNAND
and NOR Flash. Samsung offers Flash products
both component and a variety of card formats including RS-MMC, MMC, CompactFlash, and SmartMedia.
To determine which Samsung Flash product solution is best for your application, refer the product selector chart.
Application Requires
Samsung Flash Products
NAND
OneNAND
NOR
Fast Random Read
Fast Sequential Read
Fast Write/Program
Multi Block Erase
(Max 64 Blocks)
Erase Suspend/Resume
Copyback
(EDC)
(ECC)
Lock/Unlock/Lock-Tight
ECC
External (Hardware/Software)
Internal
X
Scalability
1.3 Ordering Information
K F x x x 1 6 Q 2 M - D E B 5
Samsung
OneNAND Memory
Device Type
G : Single Chip
H : Dual Chip
W: Quad Chip
Density
1G: 1Gb
2G: 2Gb
4G: 4Gb
Operating Temperature Range
E = Extended Temp. (-30
°
C to 85
°
C)
Page Architecture
2 : 2KB Page
Version
1st Generation
Product Line desinator
B : Include Bad Block
D : Daisy Sample
Operating Voltage Range
Q : 1.8V(1.7 V to 1.95V)
Package
D : FBGA(Lead Free)
Organization
x16 Organization
Speed
5 : 54MHz
6 : 66MHz
1.2 Flash Product Type Selector
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1G16Q2M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DED6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DIB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH2G1612M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G1612M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16D2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16D2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16D2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。