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參數(shù)資料
| 型號： | KFH1G16Q2M-DED6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 82/93頁 |
| 文件大小： | 1219K |
| 代理商： | KFH1G16Q2M-DED6 |
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OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
82
Figure 31. Asynchronous Read Mode(AVD tied to CE)
NOTE:
VA=Valid Read Address, RD=Read Data.
t
OE
VA
Valid RD
t
CE
t
OEZ
CE
OE
WE
A0-A15
t
ACC
CLK
V
IL
Hi-Z
Hi-Z
RDY
t
RC
DQ0-DQ15
t
CEZ
Case 4 : AVD is tied to CE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH1G16Q2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFH1G16Q2M-DIB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16Q2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFH1G16Q2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16Q2M-DID6 | CONN RCPT .100 100POS DL R/A AU |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH1G16Q2M-DIB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFH1G16Q2M-DIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16Q2M-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16Q2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFH1G16Q2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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