參數(shù)資料
型號： KFG4G16U2M-DID6
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY(54MHz)
中文描述： 閃存（54MHz之間）
文件頁數(shù)： 48/125頁
文件大?。?/td> 1657K
代理商： KFG4G16U2M-DID6
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
48
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
This register is reserved for future use.
2.8.14 Start Address6 Register F105h
This register is reserved for future use.
2.8.15 Start Address7 Register F106h
This register is reserved for future use.
2.8.16 Start Address8 Register F107h (R/W)
This Read/Write register describes the NAND Flash start page address in a block for a page load, copy back program, or program
operation and the NAND Flash start sector address in a page for a load, copy back program, or program operation.
F107h, default = 0000h
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Reserved (00000000)
FPA
FSA
Start Address8 Information
Item
Description
Default Value
Range
FPA
NAND Flash Page Address
000000
000000 ~ 111111,
6 bits for 64 pages
FSA
NAND Flash Sector Address
00
00 ~ 11,
2 bits for 4 sectors
2.8.13 Start Address5 Register F104h
相關PDF資料
PDF描述
KFW2G16U2M-DID5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFW2G16U2M-DID6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFW1G1612M-DED5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFW1G16D2M-DEB5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFW1G16D2M-DEB6 FLASH MEMORY(54MHz)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
KFG5616D1A-DEB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND Specification FLASH MEMORY
KFG5616D1A-DEB6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND Specification FLASH MEMORY
KFG5616D1A-PEB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND Specification FLASH MEMORY
KFG5616D1A-PEB6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND Specification FLASH MEMORY
KFG5616D1M-DEB 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND256
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*