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參數(shù)資料
| 型號： | KFG2G16Q2M-DEB5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 114/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFG2G16Q2M-DEB5 |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
114
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
6.12 Warm Reset Timing
See AC Characteristics Tables 5.6
CE, OE
RP
t
RP
t
Ready1
RDY
INT
bit
High-Z
High-Z
t
Ready2
Idle
1)
Operation
Status
Reset Ongoing
2)
BootRAM Access
3)
Idle
1)
INT Bit Polling
4)
NOTES:
1. The status which can accept any register based operation(Load, Program, Erase command, etc).
2. The status where reset is ongoing.
3. The status allows only BootRAM(BL1) read operation for Boot Sequence.(refer to 7.2.2 Boot Sequence)
4. To read BL2 of Boot Sequence, Host should wait INT until becomes ready. and then, Host can issue load command.
(refer to 7.2.2 Boot Sequence, 7.1 Methods of Determing Interrupt status)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG4G16Q2M-DEB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH4G16Q2M-DEB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2M-DEB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH2G16Q2M-DEB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG4G16Q2M-DEB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG2G16Q2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2M-DEB8 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KFG2G16Q2M-DEB8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:2GNOFLASHADE-MUXED SLC W/X1663 FBGA (11X13) - Bulk |
| KFG2G16Q2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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