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參數(shù)資料
| 型號： | KFG2G16D2M-DID5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 72/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1657K |
| 代理商： | KFG2G16D2M-DID5 |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
72
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
Data Protection Operation Flow Diagram
Start
Write ’DFS*, of Flash
Add: F100h DQ=DFS*
Lock/Unlock/Lock-Tight
completed
Write ’lock/unlock/lock-tight’
Command
Add: F220h
DQ=002Ah/0023h/002Ch
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ[15]=INT
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
* DFS is for DDP
Note) Samsung strongly recommends to follow the above flow chart
Write ’SBA’ of Flash
Add: F24Ch DQ=SBA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG2G16D2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2M-DED6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2M-DIB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG2G16D2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2A-DEB8000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:NAND Flash Parallel/Serial 1.8V 2Gbit 128M x 16bit 76ns 63-Pin FBGA Tray |
| KFG2G16Q2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16Q2M-DEB8 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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