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參數(shù)資料
| 型號： | KFG2G1612M-DEB5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Coaxial Cable; Coaxial RG/U Type:223; Impedance:50ohm; Conductor Size AWG:19; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Approval Categories:UL AWM Style 1354; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-C-17G RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 116/125頁 |
| 文件大小： | 1657K |
| 代理商： | KFG2G1612M-DEB5 |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
116
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
6.15 Data Protection Timing During Power Down
V
CC
RP
NAND Write
Protected
Idle
One NAND Reset
INT
OneNAND
Operation
typ. 1.3V
0V
The device is designed to offer protection from any involuntary program/erase during power-transitions. An internal voltage detector
disables all functions whenever Vcc is below about 1.3V. RP pin provides hardware protection and is recommended to be kept at V
IL
before power-down.
6.14 NAND Flash Core Reset Timing
AVD
CE
F220h
RDY
Operation or Idle
NAND Flash Core reset
Idle
OneNAND
Operation
High-Z
00F0h
A0~A15
DQ0~DQ15
INT
bit
WE
OE
t
Ready
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH2G1612M-DEB5 | Coaxial Cable; Coaxial RG/U Type:223; Impedance:50ohm; Conductor Size AWG:19; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Leaded Process Compatible:Yes; Voltage Nom.:600V RoHS Compliant: Yes |
| KFW2G1612M-DEB5 | Coaxial Cable; Coaxial RG/U Type:223; Impedance:50ohm; Conductor Size AWG:19; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Leaded Process Compatible:Yes; Voltage Nom.:600V RoHS Compliant: Yes |
| KFG4G1612M-DEB5 | Coaxial Cable; Coaxial RG/U Type:59; Impedance:75ohm; Conductor Size AWG:20; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Leaded Process Compatible:Yes; Voltage Nom.:600V RoHS Compliant: Yes |
| KFH1G1612M-DEB5 | Coaxial Cable; Coaxial RG/U Type:223; Impedance:50ohm; Conductor Size AWG:19; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Leaded Process Compatible:Yes; Voltage Nom.:600V RoHS Compliant: Yes |
| KFW4G1612M-DEB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG2G1612M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16D2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16D2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16D2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG2G16D2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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