- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄373128 > KFG1G16Q2M-DID6 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) FLASH MEMORY(54MHz) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | KFG1G16Q2M-DID6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數： | 7/125頁 |
| 文件大小： | 1657K |
| 代理商： | KFG1G16Q2M-DID6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁當前第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
7
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
1.5 Product Features
Device Architecture
Design Technology:
Supply Voltage:
Host Interface:
5KB Internal BufferRAM:
SLC NAND Array:
Device Performance
Host Interface Type:
Programmable Burst Read Latency:
Multiple Sector Read/Write:
Multiple Reset Modes:
Multi Block Erase:
Low Power Dissipation:
System Hardware
Voltage detector generating internal reset signal from Vcc
Hardware reset input (RP)
Data Protection Modes
User-controlled One Time Programmable(OTP) area
Internal 2bit EDC / 1bit ECC
Internal Bootloader supports Booting Solution in system
Handshaking Feature
Detailed chip information
Packaging
1G products
2G DDP products
4G QDP products
90nm
1.8V (1.7V ~ 1.95V)
16 bit
1KB BootRAM, 4KB DataRAM
(2K+64)B Page Size, (128K+4K)B Block Size
Synchronous Burst Read
- Up to 54MHz clock frequency
- Linear Burst 4-, 8-, 16-, 32-words with wrap around
- Continuous 1K word Sequential Burst
Asynchronous Random Read
- 76ns access time
Asynchronous Random Write
Latency 3(up to 40MHz), 4, 5, 6, and 7
Up to 4 sectors using Sector Count Register
Cold/Warm/Hot/NAND Flash Core Resets
Up to 64 Blocks
Typical Power,
- Standby current :
10uA @ Single , 20uA @ DDP, 40uA @ QDP
- Synchronous Burst Read current(54MHz) :
12mA @ Single, 17mA @ DDP/QDP
- Load current : 30mA
- Program current : 25mA
- Erase current : 20mA
- Multi Block Erase current : 20mA
- Endurance : 100K Program/Erase Cycles
- Data Retention : 10 Years
- Write Protection for BootRAM
- Write Protection for NAND Flash Array
- Write Protection during power-up
- Write Protection during power-down
- INT pin indicates Ready / Busy
- Polling the interrupt register status bit
- by ID register
63ball, 10mm x 13mm x max 1.0mmt, 0.8mm ball pitch FBGA
63ball, 11mm x 13mm x max 1.2mmt, 0.8mm ball pitch FBGA
63ball, 11mm x 13mm x max 1.4mmt, 0.8mm ball pitch FBGA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1G16U2M-DED6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16U2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFG1G16U2M-DIB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16U2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFG1G16U2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KFG1G16U2C-AIB6000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 1Gbit 64M x 16bit 76ns/70ns 63-Pin FBGA Tray |
| KFG1G16U2D-HIB6000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
| KFG1G16U2M-DEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1G16U2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16U2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。