參數(shù)資料
型號(hào)： KFG1G16Q2M-DIB5
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY(54MHz)
中文描述： 閃存（54MHz之間）
文件頁(yè)數(shù)： 100/125頁(yè)
文件大?。?/td> 1657K
代理商： KFG1G16Q2M-DIB5
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
100
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
4.1 Absolute Maximum Ratings
NOTES
:
1. Minimum DC voltage is -0.5V on Input/ Output pins. During transitions, this level should not fall to POR level(typ. 1.5V). Maximum DC voltage is
Vcc+0.6V on input / output pins which, during transitions, may overshoot to Vcc+2.0V for periods <20ns.
2. Permanent device damage may occur if ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS are exceeded. Functional operation should be restricted to the conditions
detailed in the operational sections of this data sheet. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Voltage on any pin relative to V
SS
Vcc
Vcc
-0.5 to + 2.45
V
All Pins
V
IN
T
bias
-0.5 to + 2.45
Temperature Under Bias
Extended
-30 to +125
°
C
Storage Temperature
T
stg
-65 to +150
°
C
Short Circuit Output Current
I
OS
5
mA
Recommended Operating Temperature
T
A
(Extended Temp.)
-30 to +85
°
C
4.2 Operating Conditions
Voltage reference to GND
NOTES
:
1. The system power should reach 1.7V after POR triggering level(typ. 1.5V) within 400us.
2. Vcc-Core (or Vcc) should reach the operating voltage level prior to or at the same time as Vcc-IO (or Vccq).
Parameter
Symbol
1.8V Device
Unit
Min
Typ.
Max
Supply Voltage
V
CC-
core / Vcc
1.7
1.8
1.95
V
V
CC-
IO / Vccq
V
SS
0
0
0
V
4.0 DC CHARACTERISTICS
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PDF描述
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KFG1G16Q2M-DID6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16U2C-AIB6000 制造商:Samsung SDI 功能描述:NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 1Gbit 64M x 16bit 76ns/70ns 63-Pin FBGA Tray
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