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參數資料
| 型號： | KFG1G16Q2M-DED5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數： | 52/125頁 |
| 文件大小： | 1657K |
| 代理商： | KFG1G16Q2M-DED5 |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
52
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
Burst Length (BL)
BL
Burst Length(Main)
Burst Length(Spare)
000
Continuous(default)
001
4 words
010
8 words
011
16 words
100
32 words
N/A
101~111
Reserved
Burst Length (BL) Information[11:9]
Item
Definition
Description
BL
Burst Length
Specifies the size of the burst length during a synchronous
read, wrap around and linear burst read
Error Correction Code (ECC) Information[8]
Item
Definition
Description
ECC
Error Correction Code Operation
0 = with correction (default)
1 = without correction (bypassed)
RDY Polarity (RDYpol) Information[7]
Item
Definition
Description
RDYpol
RDY signal polarity
1 = high for ready (default)
0 = low for ready
INT Polarity (INTpol) Information[6]
INTpol
INT bit of Interrupt Status Register
INT Pin output
0
0 (busy)
High
1 (ready)
Low
1 (default)
0 (busy)
Low
1 (ready)
High
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1G16Q2M-DED6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DIB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16U2M-DED6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KFG1G16Q2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DIB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1G16Q2M-DIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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