- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373130 > KFG1G16D2M-DID6 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) FLASH MEMORY(54MHz) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KFG1G16D2M-DID6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 73/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | KFG1G16D2M-DID6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁當前第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
73
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tr[us]
@ Vcc = 1.8V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
10K
20K
30K
0.089
tf[ns]
0.7727
1.345
1.788
3.77
3.77
3.77
3.77
1.75
0.18
0.09
40K
50K
2.142
2.431
3.77
3.77
0.045
0.06
0.036
Open(100K)
5.420
0.000
≈
≈
≈
≈
≈
≈
Busy State
Ready Vcc
VOH
tf
tr
VOL
Vss
~50k ohm
INT
Internal Vcc
Rp
INT pol = ’High’
Determing Rp Value
Because the pull-up resistor value is related to tr(INT), an appropriate value can be obtained by the following reference charts.
Technical Notes
(Continued)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH1G16Q2M-DIB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16D2M-DIB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16D2M-DIB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1216U2M | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2M-DIB | FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1G16Q2A-DEB5000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KFG1G16Q2A-DEB6000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KFG1G16Q2A-DEB8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:1GNOFLASHADE-MUXED SLC W/X1663 FBGA(10X13) - Bulk |
| KFG1G16Q2B-DEB8000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:NAND Flash Serial 1.8V 1Gbit 64M x 16bit 8ns 63-Pin FBGA Tray |
| KFG1G16Q2C-AEB8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。