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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1G16D2M-DIB6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 63/93頁 |
| 文件大小： | 1219K |
| 代理商： | KFG1G16D2M-DIB6 |
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OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
63
Data Protection during Power Down
The device is designed to offer protection from any involuntary program/erase during power-transitions. An internal voltage detector
disables all functions whenever Vcc is below about 1.3V. RP pin provides hardware protection and is recommended to be kept at V
IL
before power-down.
V
CC
RP
NAND Flash Core
Write Protected
Idle
OneNAND Reset
INT
OneNAND
Operation
typ. 1.3V
0V
Figure 21. Data Protection during Power Down
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1G16D2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFG1G16D2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16D2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16Q2M-DIB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16D2M-DIB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1G16D2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1G16D2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16D2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2A-DEB5000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KFG1G16Q2A-DEB6000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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