參數(shù)資料
型號： KFG1216U2A-FID6
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY
中文描述： 閃存
文件頁數(shù)： 100/114頁
文件大?。?/td> 1382K
代理商： KFG1216U2A-FID6
OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
100
NOTES:
1. AA = Address of address register
CA = Address of command register
LCD = Load Command
LMA = Address of memory to be loaded
BA = Address of BufferRAM to load the data
BD = Program Data
SA = Address of status register
2. “In progress” and “complete” refer to status register
3. Status reads in this figure is asynchronous read, but status read in synchronous mode is also supported.
Load Command Sequence
A0:A15
WE
CE
CLK
t
DS
t
DH
t
CH
t
WPL
t
CS
t
WPH
t
WC
CA
BA
BA
LCD
LMA
AA
DQ0-DQ15
OE
Read Data
V
IL
≈
≈
≈
≈
Da
Da+1
t
AH
t
AWES
INT
t
RD
t
CH
t
CS
6.8 Load Operation Timing
See AC Characteristics Tables 5.7 and 5.8
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PDF描述
KFG1G1612M-DEB5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G1612M-DED5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFW4G16U2M-DID5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFW4G16U2M-DID6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFW1G1612M-DEB5 Coaxial Cable; Coaxial RG/U Type:223; Conductor Size AWG:19; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Approval Categories:UL AWM Style 1354; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-C-17G; Conductor Material:Copper RoHS Compliant: Yes
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
KFG1216U2B-DIB6 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
KFG1216U2M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFG1216U2M-DEB 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFG1216U2M-DED 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFG1216U2M-DIB 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
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