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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1216Q2A-DIB5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 113/114頁 |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | KFG1216Q2A-DIB5 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
113
Reservoir
File System
Os Image
NBL3
NBL2
NBL1
Partition 6
Block 162
Block 2
Block 1
Block 0
Partition 5
Sector 0 Sector 1 Sector 2 Sector 3
Page 63
Page 62
Page 2
Page 1
Page 0
B
Partition 4
Partition 3
Partition of NAND Flash array
:
:
Reservoir
File System
Os Image
BL2
BL1
Os Image
BL 2
NAND Flash Array
OneNAND
DRAM
OneNAND Boot Sequence
BL1
Internal BufferRAM
Data Ram 1
Data Ram 0
Boot Ram(BL 1)
NOTE
:
Step 2 and Step 3 can be copied into DRAM through two DataRAMs using dual buffering
Block 512
step 1
step 2
step 3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A-DIB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DID5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DID6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FEB5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FEB6 | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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