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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KBU6G |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 6.0 Ampere Silicon Bridge Rectifiers(6.0A的橋型硅整流器（重復(fù)峰值反向電壓：400V）) |
| 中文描述： | 6 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | KBU, 4 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 30K |
| 代理商： | KBU6G |
K
KBU6A-KBU6M, Rev. A
KBU6A - KBU6M
6.0 Ampere Silicon Bridge Rectifiers
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Features
High surge current capability.
Reliable construction technique.
Ideal for printed circuit board.
Dimensions are in: inches (mm)
KBU
0.165(4.2)
0.150(3.8)
0.280(7.1)
0.260(6.6)
0.052(1.3)
0.048(1.2)
~
~
+
45°
0.935(23.7)
0.895(22.7)
0.0760(19.3)
MAX
0.70(17.8)
0.66(16.8)
0.455(11.3)
0.405(10.3)
0.085(2.2)
0.065(1.7)
0.260(6.8)
0.180(4.5)
0.220(5.6)
0.180(4.6)
0.16(4.1)
0.14(3.6)
+
–
1.0(2.54)
MIN
Absolute Maximum Ratings*
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Electrical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
Device
Units
6A
50
35
50
6B
100
70
100
6D
200
140
200
6G
400
280
400
6J
600
420
600
6K
800
560
800
6M
1000
700
1000
Peak Repetitive Reverse Voltage
Maximum RMS Bridge Input Voltage
V
V
V
DC Reverse Voltage
Maximum Reverse Leakage,
total bridge @ rated V
R
T
A
= 25
°
C
(Rated V
R
)
T
A
= 100
°
C
5.0
500
μ
A
μ
A
Maximum Forward Voltage Drop,
per bridge
@ 6.0 A
1.0
V
Symbol
Parameter
Value
Units
I
O
Average Rectified Current
@ T
A
= 65
°
C
Peak Forward Surge Current
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient,** per leg
Thermal Resistance, Junction to Case,** per leg
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
6.0
A
i
f(surge)
P
D
250
6.7
54
8.6
4.0
A
W
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
°
C
°
C
R
θ
JA
R
θ
JC
T
stg
T
J
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
**
Device mounted on PCB with 0.375 " (9.5 mm) lead length and 0.5 x 0.5" (12 x 12 mm) copper pads.
-55 to +150
-55 to +150
Discrete POWE R & Signal
Technologies
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBU6J | 6.0 Ampere Silicon Bridge Rectifiers(6.0A的橋型硅整流器（重復(fù)峰值反向電壓：600V）) |
| KBU6K | 6.0 Ampere Silicon Bridge Rectifiers(6.0A的橋型硅整流器（重復(fù)峰值反向電壓：800V）) |
| KBU6M | 8.0 Ampere Silicon Bridge Rectifiers(8.0A的橋型硅整流器（重復(fù)峰值反向電壓：1000V）) |
| KBU6 | Silicon-Bridge Rectifiers |
| KBU8005 | 8 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KBU6G _B0 _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| KBU6G/1 | 功能描述:RECTIFIER BRIDGE 6A 400V KBU RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 橋式整流器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 14/Mar/2011 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:- 電壓 - 峰值反向(最大):1000V 電流 - DC 正向(If):1.5A 二極管類型:單相 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD 包裝:帶卷 (TR) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-SDIP |
| KBU6G_Q | 功能描述:橋式整流器 6A Bridge Rectifier RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長(zhǎng)度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
| KBU6G-E4 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Bridge Rectifier Single 400V 6A KBU4 |
| KBU6G-E4/1 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Bridge Rectifier |
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