參數(shù)資料
型號： K9XXG08UXM-P
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： SSR H/S ZS 600V 70A 4-32VDC
中文描述： 256M × 8位/ 128M的× 16位NAND閃存
文件頁數(shù)： 21/39頁
文件大小： 680K
代理商： K9XXG08UXM-P
FLASH MEMORY
21
K9W4G08U1M
K9K2G08U0M
K9W4G16U1M
K9K2G16Q0M
K9K2G16U0M
K9K2G08Q0M
Status Read Cycle
CE
WE
CLE
RE
70h
Status Output
t
CLR
t
CLH
t
CS
t
WP
t
CH
t
DS
t
DH
t
REA
t
IR*
t
OH
t
OH
t
WHR
t
CEA
t
CLS
K9XXG16XXM : I/O
8
~
15 must be set to "0"
I/Ox
t
CHZ*
t
RHZ*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K9XXG08UXM-Y 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9XXG16UXM-E SSR H/S IO 230V 20A 4-32VDC
K9XXG16UXM-K SSR H/S PS 230V 50A 4-20MA E
K9XXG16UXM-P Multi-function, zero cross and proportional output SSR with integrated heat sink. 2-wire Modbus input, 230VAC, 50A single phase output.
K9XXG16UXM-Y Multi-function, zero cross and proportional output SSR with integrated heat sink. 2-wire Modbus input, 230VAC, 50A single phase output, bult-in current measurement.
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參數(shù)描述
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K9XXG16UXM-K 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
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