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參數(shù)資料
| 型號： | K9K2G16Q0M-PCB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 256M × 8位/ 128M的× 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 29/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 734K |
| 代理商： | K9K2G16Q0M-PCB0 |
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FLASH MEMORY
29
K9K2G08Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G08U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G08U0M-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
4th ID Data
Description
I/O7
I/O6
I/O5 I/O4
I/O3
I/O2
I/O1 I/O0
Page Size
(w/o redundant area )
1KB
2KB
Reserved
Reserved
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0 1
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Blcok Size
(w/o redundant area )
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128KB
256KB
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0 1
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Redundant Area Size
( byte/512byte)
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0
1
Organization
x8
x16
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1
Serial AccessMinimum
50ns / 30ns
25ns
Reserved
Reserved
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1
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0
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1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9K2G16Q0M-P | ULTRA2 LVD SCSI INTERNAL CBL 3 |
| K9K2G16Q0M-Y | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G16U0M | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9W4G08U1M | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9W4G16U1M | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9K2G16Q0M-PIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G16Q0M-Y | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G16Q0M-YCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G16Q0M-YIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G16U0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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