參數(shù)資料
型號(hào)： K9F2808U0B-V
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 16M x 8 Bit NAND Flash Memory
中文描述： 1,600 × 8位NAND閃存
文件頁(yè)數(shù)： 22/29頁(yè)
文件大小： 304K
代理商： K9F2808U0B-V
FLASH MEMORY
22
K9F2808U0B-YCB0,YIB0
K9F2808U0B-DCB0,DIB0
K9F2808Q0B-DCB0,DIB0
K9F2808U0B-VCB0,VIB0
BLOCK ERASE OPERATION
(ERASE ONE BLOCK)
MANUFACTURE & DEVICE ID READ OPERATION
CE
CLE
I/O 0 ~ 7
WE
ALE
RE
90h
Read ID Command
Maker Code
Device Code
00h
ECh
Device
Code*
t
REA
Address. 1cycle
CE
CLE
R/B
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
60h
A
17
~ A
23
A
9
~ A
16
Auto Block Erase
Setup Command
Erase Command
Read Status
Command
I/O
0
=1 Error in Erase
DOh
70h
I/O 0
Busy
t
WB
t
BERS
I/O
0
=0 Successful Erase
Page(Row)
Address
t
WC
≈
t
AR1
t
CLR
Device
Device Code*
K9F2808Q0B
33h
K9F2808U0B
73h
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K9F2808U0B-VCB0 16M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2808U0B-Y 16M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2808U0C-VCB0 16M x 8 Bit , 8M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9F2808U0C-DCB0 16M x 8 Bit , 8M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9F2808U0C-VIB0 16M x 8 Bit , 8M x 16 Bit NAND Flash Memory
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參數(shù)描述
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K9F2808U0B-VIB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2808U0B-Y 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2808U0B-YCB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2808U0B-YIB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 8 Bit NAND Flash Memory
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