- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374296 > K8D6316UTM-DI09 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K8D6316UTM-DI09 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| 中文描述： | 6400位（800萬x8/4M x16）的雙銀行NOR閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 3/48頁 |
| 文件大小： | 658K |
| 代理商： | K8D6316UTM-DI09 |
第1頁第2頁當(dāng)前第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁
FLASH MEMORY
K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
Revision 1.5
March 2005
3
A3
A7
A9
A13
A4
A17
RESET
RY/BY
A8
A12
A2
A6
A18
A21
A10
A14
DQ15/
A-1
A5
A20
A19
A11
A0
DQ0
DQ2
DQ5
DQ7
A16
CE
DQ8
DQ10
DQ12
DQ14
BYTE
DQ9
DQ11
V
CC
DQ13
V
SS
DQ1
DQ3
DQ4
DQ6
V
SS
2
3
4
5
6
C
D
E
F
G
H
WE
WP/
ACC
A1
A15
OE
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
Vcc
Vss
CE
OE
WE
BYTE
RESET
RY/BY
WP/ACC
A0~A21
DQ15/A-1
DQ0~DQ14
I/O
Interface
&
Bank
Control
X
Dec
Y Dec
Latch &
Control
Latch &
Control
Dec
X
Y Dec
Erase
Control
Program
Control
High
Voltage
Gen.
Bank2
Cell Array
Bank1
Address
Bank2
Address
Bank1 Data-In/Out
Bank2 Data-In/Out
Bank1
Cell Array
48 Ball TBGA/FBGA TOP VIEW (BALL DOWN)
1
A
B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K8 | KS SERIES KEY SWITCHES |
| K9352M | IF Filter for Audio Applications |
| K9656M | IF Filter for Audio Applications |
| K9F1208Q0A-XXB0 | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-DTL-38999 Series III; Body Material:Metal; Series:TVP00; No. of Contacts:37; Connector Shell Size:25; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Body Style:Straight |
| K9F1208UOM | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory(64M x 8位與非閃速存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K8D6316UTM-FC07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-FC08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-FC09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-FI07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UTM-FI08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。