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參數資料
| 型號： | K7N401801M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | TPS55065EVM Evaluation Module |
| 中文描述： | 128K × 36至 |
| 文件頁數： | 4/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 273K |
| 代理商： | K7N401801M |
K7N403601M
K7N401801M
128Kx36 & 256Kx18 Pipelined N
t
RAM
TM
- 4 -
Rev 3.0
May 1999
PIN CONFIGURATION
(TOP VIEW)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100 Pin TQFP
(20mm x 14mm)
N.C.
N.C.
N.C.
V
DDQ
V
SSQ
N.C.
N.C.
DQb
8
DQb
7
V
SSQ
V
DDQ
DQb
6
DQb
5
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
DQb
4
DQb
3
V
DDQ
V
SSQ
DQb
2
DQb
1
DQb
0
N.C.
V
SSQ
V
DDQ
N.C.
N.C.
N.C.
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
A
10
N.C.
N.C.
V
DDQ
V
SSQ
N.C.
DQa
0
DQa
1
DQa
2
V
SSQ
V
DDQ
DQa
3
DQa
4
V
SS
V
DD
V
DD
ZZ
DQa
5
DQa
6
V
DDQ
V
SSQ
DQa
7
DQa
8
N.C.
N.C.
V
SSQ
V
DDQ
N.C.
N.C.
N.C.
1
9
9
9
9
9
9
9
9
9
9
8
8
8
8
8
8
8
8
A
6
A
7
C
1
C
2
B
B
C
2
V
D
V
S
C
W
C
O
A
N
N
A
8
8
A
9
5
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
3
3
3
3
3
3
3
3
A
1
A
1
A
1
A
1
A
1
A
1
A
1
N
N
V
D
V
S
N
N
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
3
L
K7N401801M(256Kx18)
N
N
PIN NAME
Notes :
1. The pin 83 is reserved for address bit for the 8Mb N
t
RAM.
2. A
0
and A
1
are the two least significant bits(LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.
SYMBOL
PIN NAME
TQFP PIN NO.
SYMBOL
PIN NAME
TQFP PIN NO.
A
0
- A
17
ADV
WE
CLK
CKE
CS
1
CS
2
CS
2
BWx(x=a,b)
OE
ZZ
LBO
Address Inputs
Address Advance/Load
Read/Write Control Input
Clock
Clock Enable
Chip Select
Chip Select
Chip Select
Byte Write Inputs
Output Enable
Power Sleep Mode
Burst Mode Control
32,33,34,35,36,37,
44,45,46,47,48,49
50,80,81,82,99,100
85
88
89
87
98
97
92
93,94
86
64
31
V
DD
V
SS
N.C.
DQa
0
~a
8
DQb
0
~b
8
V
DDQ
V
SSQ
Power Supply(+3.3V)
Ground
No Connect
Data Inputs/Outputs
Output Power Supply
(2.5V or 3.3V)
Output Ground
14,15,16,41,65,66,91
17,40,67,90
1,2,3,6,7,25,28,29,30,
38,39,42,43,51,52,53,
56,57,75,78,79,83,84
95,96
58,59,62,63,68,69,72,73,74
8,9,12,13,18,19,22,23,24
4,11,20,27,54,61,70,77
5,10,21,26,55,60,71,76
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7N403601M | TPS54162EVM Evaluation Module |
| K7N401809B-QC20 | 128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAMTM |
| K7N403601B-QC13 | 128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAMTM |
| K7N403609B-QC20 | 128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAMTM |
| K7N403609B | 128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAMTM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K7N401801M-QC1500 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
| K7N401809B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAM |
| K7N401809B-QC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAMTM |
| K7N403601A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx36 & 256Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM |
| K7N403601B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAM |
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