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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K7N161801M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Kx36 & 1Mx18-Bit Pipelined NtRAM TM |
| 中文描述： | 512Kx36 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/20頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 324K |
| 代理商： | K7N161801M |
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512Kx36 & 1Mx18 Pipelined N
t
RAM
TM
- 4 -
Rev 1.0
December 1999
K7N161801M
K7N163601M
PIN CONFIGURATION
(TOP VIEW)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
100 Pin TQFP
(20mm x 14mm)
N.C.
N.C.
N.C.
V
DDQ
V
SSQ
N.C.
N.C.
DQb
8
DQb
7
V
SSQ
V
DDQ
DQb
6
DQb
5
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
DQb
4
DQb
3
V
DDQ
V
SSQ
DQb
2
DQb
1
DQb
0
N.C.
V
SSQ
V
DDQ
N.C.
N.C.
N.C.
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
A
10
N.C.
N.C.
V
DDQ
V
SSQ
N.C.
DQa
0
DQa
1
DQa
2
V
SSQ
V
DDQ
DQa
3
DQa
4
V
SS
V
DD
V
DD
ZZ
DQa
5
DQa
6
V
DDQ
V
SSQ
DQa
7
DQa
8
N.C.
N.C.
V
SSQ
V
DDQ
N.C.
N.C.
N.C.
1
9
9
9
9
9
9
9
9
9
9
8
8
8
8
8
8
8
8
A
6
A
7
C
1
C
2
B
B
C
2
V
D
V
S
C
W
C
O
A
A
1
A
1
A
8
8
A
9
5
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
3
3
3
3
3
3
3
3
A
1
A
1
A
1
A
1
A
1
A
1
A
1
N
N
V
D
V
S
N
N
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
3
L
K7N161801M(1Mx18)
N
N
PIN NAME
N
OTE
:
A
0
and A
1
are the two least significant bits(LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.
SYMBOL
PIN NAME
TQFP PIN NO.
SYMBOL
PIN NAME
TQFP PIN NO.
A
0
- A
19
ADV
WE
CLK
CKE
CS
1
CS
2
CS
2
BWx(x=a,b)
OE
ZZ
LBO
Address Inputs
Address Advance/Load
Read/Write Control Input
Clock
Clock Enable
Chip Select
Chip Select
Chip Select
Byte Write Inputs
Output Enable
Power Sleep Mode
Burst Mode Control
32,33,34,35,36,37,44
45,46,47,48,49,50,80
81,82,83,84,99,100
85
88
89
87
98
97
92
93,94
86
64
31
V
DD
V
SS
N.C.
DQa
0
~a
8
DQb
0
~b
8
V
DDQ
V
SSQ
Power Supply(+3.3V)
Ground
No Connect
Data Inputs/Outputs
Data Inputs/Outputs
Output Power Supply
(3.3V or 2.5V)
Output Ground
14,15,16,41,65,66,91
17,40,67,90
1,2,3,6,7,25,28,29,30,
38,39,42,43,51,52,53,
56,57,75,78,79,95,96
58,59,62,63,68,69,72,73,74
8,9,12,13,18,19,22,23,24
4,11,20,27,54,61,70,77
5,10,21,26,55,60,71,76
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7N163601M | 512Kx36 & 1Mx18-Bit Pipelined NtRAM TM |
| K7N161845M | 512Kx36 & 1Mx18-Bit Pipelined NtRAMTM |
| K7N163645M | 512Kx36 & 1Mx18-Bit Pipelined NtRAMTM |
| K7N401801M | TPS55065EVM Evaluation Module |
| K7N403601M | TPS54162EVM Evaluation Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7N161801M-QC15000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:INQ# 76-48845 |
| K7N161801M-QC16 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K7N161801-QC13 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM |
| K7N161801-QC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM |
| K7N161801-QC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM |
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