- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄358027 > K6X1008C2D-GF55 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K6X1008C2D-GF55 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| 中文描述： | 128Kx8位低功耗CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 176K |
| 代理商： | K6X1008C2D-GF55 |
CMOS SRAM
K6X1008C2D Family
Revision 1.0
September 2003
7
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2)
(CS
1
Controlled)
Address
CS
1
t
WC
t
WR(4)
t
AS(3)
t
DW
t
DH
Data Valid
WE
Data in
Data out
High-Z
High-Z
CS
2
t
CW(2)
t
WP(1)
t
AW
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1)
(WE Controlled)
Address
CS
1
t
CW(2)
t
WR(4)
CS
2
t
CW(2)
t
WP(1)
t
DW
t
DH
t
OW
t
WHZ
Data Undefined
Data Valid
WE
Data in
Data out
t
WC
t
AW
t
AS(3)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K6X1008C2D-GF70 | 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| K6X1008C2D-GQ55 | 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| K6X1008C2D-GQ70 | 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| KA1H0265R | 8 A SWITCHING CONTROLLER, 100 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PSFM4 |
| KA336Z-2.5 | 1-OUTPUT TWO TERM VOLTAGE REFERENCE, 2.49 V, PBCY3 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K6X1008C2D-GF70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| K6X1008C2D-GF70000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 70ns 32-Pin SOP Tray |
| K6X1008C2D-GQ55 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| K6X1008C2D-GQ70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| K6X1008C2D-PB55 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。