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參數(shù)資料
| 型號： | K6T4008V1C-YF85 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
| 中文描述： | 512Kx8位低功耗和低電壓的CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 186K |
| 代理商： | K6T4008V1C-YF85 |
K6T4008V1C, K6T4008U1C Family
CMOS SRAM
Revision 1.0
January 1999
9
PACKAGE DIMENSIONS
32 PIN SMALLER THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE I (0813.4F)
1.00
±
0.10
0.039
±
0.004
1.20
0.047
MAX
8.40
0.331
1
#1
( 0.020
11.80
±
0.10
0.465
±
0.004
0.45 ~0.75
0.018 ~0.030
13.40
±
0.10
0.528
±
0.008
+0.10
0.15
-0.05
0.006
-0.002
0~8
°
+0.004
0.20
+0.10
0.008
-0.002
0.50
0.0197
( 0.010
MIN
0.05
0.002
MAX
8
0
TYP
0.25
0.010
#16
#32
#17
32 PIN THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE I (0820F)
#32
1.00
±
0.10
0.039
±
0.004
1.20
0.047
MAX
8.40
0.331
0
0
#1
( 0.020
18.40
±
0.10
0.724
±
0.004
0.45 ~0.75
0.018 ~0.030
20.00
±
0.20
0.787
±
0.008
#17
+0.004
0.15
+0.10
0.006
-0.002
0~8
°
+0.10
0.20
-0.05
0.008
-0.002
0.50
0.0197
( 0.010
MIN
0.05
0.002
MAX
8
0
TYP
0.25
0.010
#16
Units: millimeters(inches)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K6T4008V1C-YF70 | POT 25K OHM 3/8 SQ CERM SL ST |
| K6T4008V1C-YB70 | 512Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
| K6T4008V1C-VB85 | 512Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
| K6T4008V1C-VB70 | 512Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
| K6T4008V1C-B | 512Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K6T4016C3B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
| K6T4016C3B-B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
| K6T4016C3B-F | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
| K6T4016C3B-RB55 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
| K6T4016C3B-RB70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM |
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