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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K6T1008C2E-GB55 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| 中文描述： | 128Kx8位低功耗CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 190K |
| 代理商： | K6T1008C2E-GB55 |
CMOS SRAM
K6T1008C2E Family
Revision 3.0
March 2000
10
32 PIN THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE I (0820F)
#32
1.00
±
0.10
0.039
±
0.004
1.20
0.047
MAX
8.40
0.331
0
0
#1
(0.020
18.40
±
0.10
0.724
±
0.004
0.45 ~0.75
0.018 ~0.030
20.00
±
0.20
0.787
±
0.008
#17
+0.10
0.15
-0.05
0.006
-0.002
0~8
°
0.20
+0.10
0.008
-0.002
+0.004
0.50
0.0197
(0.010
MIN
0.05
0.002
MAX
8
0
TYP
0.25
0.010
#16
PACKAGE DIMENSIONS
Units: millimeters(inches)
32 THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE I (0820R)
#32
1.00
±
0.10
0.039
±
0.004
1.20
0.047
M
8
0
0
0
#1
( 0.020
18.40
±
0.10
0.724
±
0.004
0.45 ~0.75
0.018 ~0.030
20.00
±
0.20
0.787
±
0.008
#17
+0.10
0.15
-0.05
0.006
-0.002
0~8
°
+0.10
0.20
-0.05
0.008
-0.002
0.50
0.0197
( 0.010
MIN
0.05
0.002
MAX
8
0
TYP
0.25
0.010
#16
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K6T1008C2E-GB70 | 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| K6T1008C2E-GF55 | 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| K6T1008C2E-GF70 | 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| K6T1008C2E-GL55 | 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| K6T1008C2E-GL70 | 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K6T1008C2E-GB70 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:Static RAM, 128Kx8, 32 Pin, Plastic, SOP |
| K6T1008C2E-GB70000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 70ns 32-Pin SOP |
| K6T1008C2E-GB70T00 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 70ns 32-Pin SOP T/R |
| K6T1008C2E-GF55 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| K6T1008C2E-GF55000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
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