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參數(shù)資料
| 型號： | K6R4008V1B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | CMOS SRAM |
| 中文描述： | CMOS SRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 214K |
| 代理商： | K6R4008V1B |
K6R4008V1B-C/B-L, K6R4008V1B-I/B-P
CMOS SRAM
PRELIMINARY
Rev 2.2
May 1999
- 7 -
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1)
(OE= Clock)
Address
CS
t
WP(2)
t
DW
t
DH
Valid Data
WE
Data in
Data out
t
WC
t
WR(5)
t
AW
t
CW(3)
High-Z(8)
High-Z
OE
t
OHZ(6)
t
AS(4)
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2)
(OE=Low Fixed)
Address
CS
t
WP1(2)
t
DW
t
DH
t
OW
t
WHZ(6)
Valid Data
WE
Data in
Data out
t
WC
t
AS(4)
t
WR(5)
t
AW
t
CW(3)
(10)
(9)
High-Z(8)
High-Z
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(3)
(CS
=
Controlled)
Address
CS
t
AW
t
DW
t
DH
Valid Data
WE
Data in
Data out
High-Z
High-Z(8)
t
CW(3)
t
WP(2)
t
AS(4)
t
WC
t
WR(5)
High-Z
High-Z
t
LZ
t
WHZ(6)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K6R4008V1B-C10 | CMOS SRAM |
| K6R4008V1B-C12 | CMOS SRAM |
| K6R4008V1B-C15 | CMOS SRAM |
| K6R4008V1B-I10 | CMOS SRAM |
| K6R4008V1B-I12 | CMOS SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K6R4008V1B-C10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:CMOS SRAM |
| K6R4008V1B-C12 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:CMOS SRAM |
| K6R4008V1B-C15 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:CMOS SRAM |
| K6R4008V1B-I10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:CMOS SRAM |
| K6R4008V1B-I12 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:CMOS SRAM |
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