參數(shù)資料
型號(hào)： K596-TO-92S
廠商： 江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司
英文描述： Si N-CHANNEL JUNCTION FET
中文描述： 氮化硅通道結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 596K
代理商： K596-TO-92S
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92S Plastic-Encapsulate Transistors
K596
Si N-CHANNEL JUNCTION FET
FEATURES
Power dissipation
P
CM
: 0.1W
Gate Current
I
G
: 10mA
Drain current
I
D
: 1mA
Drain-Source voltage
BV
GDO
: -20 V
Operating and storage junction temperature range
T
J
T
stg
: -55
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tamb=25
to +150
Tamb=25
unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN
TYP
MAX
UNIT
Gate-Drain breakdown Voltage
BV
GDO
I
G
= -100
A
-20
V
Gate-Source cut-off Voltage
V
GS(off)
V
DS
= 5V , I
D
=1
A
-0.6
-1.5
V
Drain Current
I
DSS
V
DS
= 5 V , V
GS
=0
100
800
A
Forward Transfer Admittance
|Y
FS
|
V
DS
= 5V , V
GS
=0, f=1KHz
0.4
1.2
Input Capacitance
C
iss
V
DS
=5V, V
GS
=0, f=1MHz
3.5
pF
Output Capacitance
C
RSS
V
DS
= 5 V, V
GS
=0
f =
1MHz
0.65
pF
I
DSS
Classification
Classification
A
B
C
D
E
I
DSS
(μA)
100-170
150-240
210-350
320-480
440-800
1.SOURCE
2.GATE
3.DRAIN
123
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PDF描述
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