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參數資料
| 型號： | K4S643232E-TE50 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL(3.3V) |
| 中文描述： | 200萬× 32內存為512k × 32 × 4銀行同步DRAM LVTTL（3.3） |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | K4S643232E-TE50 |
K4S643232E
CMOS SDRAM
- 1 -
Rev. 1.3 (Oct. 2001)
2M x 32 SDRAM
Revision 1.3
October 2001
512K x 32bit x 4 Banks
Synchronous DRAM
LVTTL
Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| K4S643232E-TL55 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S643232E-TL60 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4S643232E-TE60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL(3.3V) |
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| K4S643232E-TI70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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