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參數(shù)資料
| 型號： | K4S161622E-TC70 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16內存 |
| 文件頁數(shù)： | 19/42頁 |
| 文件大小： | 675K |
| 代理商： | K4S161622E-TC70 |
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K4S161622E
CMOS SDRAM
Rev 1.1 Jan '03
*Note :
1. t
RDL
: 1 CLK
2. t
BDL
: 1 CLK ; Last data in to burst stop delay.
Read or write burst stop command is valid at every burst length.
3. Number of valid output data after row precharge or burst stop : 1, 2 for CAS latency= 2, 3 respectiviely.
4. PRE : Both banks precharge if necessary.
MRS can be issued only at both banks precharge state.
8. Burst Stop & Interrupted by Precharge
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQ
WR
PRE
D
3
1) Normal Write (BL=4)
tRDL Note 1
3) Read Interrupted by Precharge (BL=4)
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
PRE
Q
0
Q
1
Q
0
Q
1
1
2
Note 3
9. MRS
CLK
PRE
1) Mode Register Set
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQ
WR
STOP
D
3
2) Write Burst Stop (BL=8)
DQM
4) Read Burst Stop (BL=4)
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
STOP
Q
0
Q
1
Q
0
Q
1
1
2
Note 3
MRS
ACT
Note 4
tRP
tMRS = 2CLK
CMD
DQM
tBDL Note 2
D
4
D
5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S161622E-TC80 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622H | 16Mb H-die SDRAM Specification |
| K4S161622H-TC55 | 16Mb H-die SDRAM Specification |
| K4S161622H-TC60 | 16Mb H-die SDRAM Specification |
| K4S161622H-TC70 | 16Mb H-die SDRAM Specification |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S161622E-TC70000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4S161622E-TC80 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM |
| K4S161622H | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mb H-die SDRAM Specification |
| K4S161622H-TC55 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mb H-die SDRAM Specification |
| K4S161622HTC60 | 制造商:SAMSUNG 功能描述:New |
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