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參數資料
| 型號： | K4S161622E-TC60 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16內存 |
| 文件頁數： | 26/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 675K |
| 代理商： | K4S161622E-TC60 |
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CMOS SDRAM
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K4S161622E
Rev 0.2 Oct. '02
*Note :
1. All inputs expect CKE & DQM can be don
t care when CS is high at the CLK high going edge.
2. Bank active & read/write are controlled by BA.
3. Enable and disable auto precharge function are controlled by A10/AP in read/write command.
BA
0
1
0
1
Operation
Disable auto precharge, leave bank A active at end of burst.
Disable auto precharge, leave bank B active at end of burst.
Enable auto precharge, precharge bank A at end of burst.
Enable auto precharge, precharge bank B at end of burst.
4. A10/AP and BA control bank precharge when precharge command is asserted.
A10/AP
BA
0
1
Active & Read/Write
Bank A
Bank B
BA
0
1
X
Precharge
Bank A
Bank B
Both Banks
A10/AP
0
0
1
0
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S161622E-TC70 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC80 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622H | 16Mb H-die SDRAM Specification |
| K4S161622H-TC55 | 16Mb H-die SDRAM Specification |
| K4S161622H-TC60 | 16Mb H-die SDRAM Specification |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4S161622E-TC70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC70000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4S161622E-TC80 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM |
| K4S161622H | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mb H-die SDRAM Specification |
| K4S161622H-TC55 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mb H-die SDRAM Specification |
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