參數(shù)資料
型號： K4S161622E-TC10
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1M x 16 SDRAM
中文描述： 100萬× 16內(nèi)存
文件頁數(shù)： 38/42頁
文件大小： 675K
代理商： K4S161622E-TC10
CMOS SDRAM
0
1
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19
K4S161622E
Rev 0.2 Oct. '02
Burst Read Single bit Write Cycle @Burst Length=2
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
Write with
Auto Precharge
(B-Bank)
: Don't care
*Note :
1. BRSW modes is enabled by setting A
9
"High" at MRS (Mode Register Set).
At the BRSW Mode, the burst length at write is fixed to "1" regaredless of programmed burst length.
2. When BRSW write command with auto precharge is executed, keep it in mind that t
RAS
should not be violated.
Auto precharge is executed at the burst-end cycle, so in the case of BRSW write command,
the next cycle starts the precharge.
Write
(A-Bank)
*Note 1
Row Active
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
*Note 2
BA
A
10
/AP
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
DAa0
DAa0
QAb0
QAb1
QAb0
QAb1
DBc0
DBc0
QAd0
QAd1
QAd0
QAd1
RAa
CAa
RBb
CAb
RAc
CBc
CAd
RAc
RAa
RBb
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4S161622E-TC55 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC60 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC70 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC80 1M x 16 SDRAM
K4S161622H 16Mb H-die SDRAM Specification
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4S161622E-TC55 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM
K4S161622ETC60 制造商:SAMSUNG 功能描述:NEW
K4S161622E-TC60 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC70 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC70000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
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