參數(shù)資料
型號： K4R441869A-N(M)CK7
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
中文描述： 256 × 16/18位× 2 * 16屬銀行直接RDRAMTM
文件頁數(shù)： 63/64頁
文件大?。?/td> 4052K
代理商： K4R441869A-N(M)CK7
Page 61
Direct RDRAM
K4R271669A/K4R441869A
Rev. 1.02 Jan. 2000
Table Of Contents
Overview . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Features. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Key Timing Parameters/Part Numbers . . . . . . . . . . . 1
Pinouts and Definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Pin Description. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Block Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
General Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Packet Format . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6-7
Field Encoding Summary. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8-9
DQ Packet Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
COLM Packet to D Packet Mapping . . . . . . . . . .10-11
ROW-to-ROW Packet Interaction . . . . . . . . . . . .12-13
ROW-to-COL Packet Interaction . . . . . . . . . . . . . . . 13
COL-to-COL Packet Interaction. . . . . . . . . . . . . . . . 14
COL-to-ROW Packet Interaction . . . . . . . . . . . . . . . 15
ROW-to-ROW Examples . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16-17
Row and Column Cycle Description . . . . . . . . . . . . 17
Precharge Mechanisms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18-19
Read Transaction - Example . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Write Transaction - Example . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
Write/Retire - Examples. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22-23
Interleaved Write - Example. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
Interleaved Read - Example . . . . . . . . . . . . . . . .24-25
Interleaved RRWW . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24-25
Control Register Transactions . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
Control Register Packets . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
Initialization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .28-30
Control Register Summary. . . . . . . . . . . . . . . . . 30-37
Power State Management . . . . . . . . . . . . . . . . . 38-41
Refresh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
Current and Temperature Control . . . . . . . . . . . . . . 43
Electrical Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
Timing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .44-45
Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
Timing Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
RSL Clocking . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
RSL - Receive Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
RSL - Transmit Timing. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
CMOS - Receive Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50-51
CMOS - Transmit Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . .52-53
RSL - Domain Crossing Window . . . . . . . . . . . . . . . 53
Timing Parameters. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
IDD - Supply Current Profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
Capacitance and Inductance . . . . . . . . . . . . . . . .56-57
Center-Bonded uBGA Package. . . . . . . . . . . . . . . . 58
Glossary of Terms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .59-60
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PDF描述
K4R441869A-N(M)CK8 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
K4R271669A-N(M)CK8 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
K4R271669A-Nb(M)CcG6 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
K4R271669B-NCG6 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R271669B-MCG6 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4R441869A-NMCK8 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
K4R441869B 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R441869B-MCG6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R441869B-MCK7 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R441869B-MCK8 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
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