參數(shù)資料
型號(hào)： K4R271669F
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 128Mbit RDRAM(F-die)
中文描述： 128Mbit的RDRAM（架F -模）
文件頁(yè)數(shù)： 6/20頁(yè)
文件大?。?/td> 292K
代理商： K4R271669F
Page 4
Direct RDRAM
K4R271669F
Version 1.41 Jan. 2004
Figure 2: 128Mbit(256Kx16x32s) RDRAM Device Block Diagram
Bank 31
DQA7..DQA0
8
1
8
W
1
W
8
Bank 30
Bank 29
Bank 18
Bank 17
Bank 16
Bank 15
Bank 14
Bank 13
Bank 1
Bank 0
S
1
DQB7..DQB0
8
1:8 Demux
1:8 Demux
Packet Decode
COLC
5
3
ROW2..ROW0
COL4..COL0
CTM CTMN
CFM CFMN
2
SCK,CMD
RCLK
TCLK
Control Registers
DC
COP
S
C
BC
MA
MB
DX
XOP
M
BX
DR
R
ROP
AV
BR
8
8
6
5
5
5
5
5
6
9
5
5
11
Write
Buffer
Match
Match
Mux
Match
DM
DEVID
512x64x128
Internal DQB Data Path
Column Decode & Mask
PREC
64
8
8
64
8
REFR
Row Decode
Mux
ACT
RD, WR
Power Modes
DRAM Core
Mux
XOP Decode
PREX
8
8
8
8
64
8
8
8
PRER
COLX
COLM
2
SIO0,SIO1
Sense Amp
32x64
Internal DQA Data Path
Packet Decode
ROWR
ROWA
RCLK
RCLK
R
T
R
T
RQ7..RQ5 or
RQ4..RQ0 or
S
0
S
0
S
1
S
1
S
1
S
1
S
1
S
1
S
2
S
3
S
3
32x64
S
1
64
S
0
S
0
S
1
S
1
S
1
S
1
S
1
S
1
S
2
S
3
S
3
32x64
Bank 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4S160822D 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL
K4S161622D 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM
K4S161622E 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC10 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC55 1M x 16 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4R271669F-RCS8000 制造商:Samsung 功能描述:128 DIRECT RDRAM X16 WBGA - Trays
K4R271669F-TCS8000 制造商:Samsung 功能描述:128 DIRECT RDRAM X16 WBGA - Trays
K4R271669H-DCS8000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:128MRDRAMDIRECT RDRAMX16FBGA - Bulk
K4R271669H-DCS8T00 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:128MRDRAMDIRECT RDRAMX16FBGA - Tape and Reel
K4R441869A 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
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