參數資料
型號: K4R271669B-NCK7
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
中文描述: 256 × 16/18位× 32秒銀行直接RDRAMTM
文件頁數: 2/20頁
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代理商: K4R271669B-NCK7
Direct RDRAM
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K4R271669B/K4R441869B
Version 1.11 Oct. 2000
Change History
Version 1.11 ( October 2000) - Preliminary
* Based on the Rambus 1.11ver. 128/144Mbit(32s banks) RDRAM Datasheet.
相關PDF資料
PDF描述
K4R271669B-NCK8 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R441869B-MCG6 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R441869B-MCK7 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R441869B-MCK8 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R441869B-NCG6 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
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參數描述
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K4R271669D-T 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit RDRAM(D-die)
K4R271669D-TCS8 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit RDRAM(D-die)
K4R271669E 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit RDRAM(E-die)