參數(shù)資料
型號(hào)： K4N51163QC-ZC36
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512Mbit gDDR2 SDRAM
中文描述： 512MB的GDDR2 SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 62/64頁(yè)
文件大?。?/td> 1420K
代理商： K4N51163QC-ZC36
- 62 -
Rev 1.5 Oct. 2005
512M gDDR2 SDRAM
K4N51163QC-ZC
Table 1.
Full Strength Default Pulldown Driver Characteristics
Pulldown Current (mA)
Voltage (V)
Minimum
(23.4 Ohms)
Nominal Default Low (18
ohms)
Nominal Default High(18
ohms)
Maximum
(12.6 Ohms)
0.2
8.5
11.3
11.8
15.9
0.3
12.1
16.5
16.8
23.8
0.4
14.7
21.2
22.1
31.8
0.5
16.4
25.0
27.6
39.7
0.6
17.8
28.3
32.4
47.7
0.7
18.6
30.9
36.9
55.0
0.8
19.0
33.0
40.9
62.3
0.9
19.3
34.5
44.6
69.4
1.0
19.7
35.5
47.7
75.3
1.1
19.9
36.1
50.1
80.5
1.2
20.0
36.6
52.2
84.6
1.3
20.1
36.9
54.2
87.7
1.4
20.2
37.1
55.9
90.8
1.5
20.3
37.4
57.1
92.9
1.6
20.4
37.6
58.4
94.9
1.7
20.6
37.7
59.6
97.0
1.8
37.9
60.9
99.1
1.9
101.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
VOUT to VSSQ (V)
0
20
40
60
80
100
120
P
Maximum
Nominal
Default
High
Nominal
Default
Low
Minimum
Figure 1.
gDDR2 Default Pulldown Characteristics for Full Strength Driver
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