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參數(shù)資料
| 型號： | K4M64163PK-RE1L |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| 中文描述： | 100萬× 16 × 4銀行在54FBGA移動SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | K4M64163PK-RE1L |
K4M64163PK - R(B)E/G/C/F
October 2005
6
Mobile-SDRAM
1.8V
13.9K
10.6K
Output
20pF
VOH (DC) = VDDQ - 0.2V, IOH = -0.1mA
VOL (DC) = 0.2V, IOL = 0.1mA
Vtt=0.5 x VDDQ
50
Output
20pF
Z0=50
Figure 2. AC Output Load Circuit
Figure 1. DC Output Load Circuit
AC OPERATING TEST CONDITIONS
(V
DD
= 1.7V~1.95V, T
A
= -25 ~ 85
°
C for Extended, -25 ~ 70
°
C for Commercial)
Parameter
Value
Unit
AC input levels (Vih/Vil)
0.9 x V
DDQ
/ 0.2
V
Input timing measurement reference level
0.5 x V
DDQ
V
Input rise and fall time
tr/tf = 1/1
ns
Output timing measurement reference level
0.5 x V
DDQ
V
Output load condition
See Figure 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N26323AE | 128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N26323AE-GC20 | 128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N26323AE-GC22 | 128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N26323AE-GC25 | 128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4M64163PK-RE75 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M64163PK-RE90 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M64163PK-RF1L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M64163PK-RF75 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M64163PK-RF90 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
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